Presentation Information
[8p-PB3-40]Pulse Endurance Evaluation of Threshold Switching Devices based MoTe2
〇Keisuke Kobayashi1,2, Kentaro Uzawa1,2, Ryoma Hayakawa2, Takuya Iwasaki2, Yutaka Wakayama1,2, Satoshi Moriyama1,2 (1.Tokyo Denki Univ., 2.NIMS)
Keywords:
Two dimensional materials,MoTe2,Threshold switching
閾値スイッチング素子は閾値電圧で高抵抗状態から低抵抗状態へ遷移し、保持電圧以下で元の高抵抗状態へ戻る揮発性スイッチング素子であり、人口ニューロン回路等のデバイス応用が期待されている。我々は以前、2H-MoTe2をグラファイト(Gr)で挟んだ縦型積層デバイスにおいて閾値スイッチングの発現を報告した。今回、同様の構造であるGr/2H-MoTe2/Grデバイスを作製し、閾値スイッチングにおけるパルス耐久性評価を行った結果について議論する。