講演情報
[8p-PB3-40]MoTe2を用いた閾値スイッチングデバイスのパルス耐久性評価
〇小林 圭輔1,2、宇澤 拳太郎1,2、早川 竜馬2、岩﨑 拓哉2、若山 裕1,2、森山 悟士1,2 (1.東京電機大、2.NIMS)
キーワード：
二次元材料、二テルル化モリブデン、閾値スイッチング
閾値スイッチング素子は閾値電圧で高抵抗状態から低抵抗状態へ遷移し、保持電圧以下で元の高抵抗状態へ戻る揮発性スイッチング素子であり、人口ニューロン回路等のデバイス応用が期待されている。我々は以前、2H-MoTe2をグラファイト(Gr)で挟んだ縦型積層デバイスにおいて閾値スイッチングの発現を報告した。今回、同様の構造であるGr/2H-MoTe2/Grデバイスを作製し、閾値スイッチングにおけるパルス耐久性評価を行った結果について議論する。