[9a-A11-1~9] 6.3 Oxide electronics

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-A11-3] Experimental and Simulation Analysis of the Metal Insulator Transition Mechanism in Current Induced Switching of NbO₂ Thin Films

〇(M1)Maya Umezaki¹, Haobo Li^1,2, Hidekazu Tanaka^1,2 (1.SANKEN, The Univ. of Osaka, 2.OTRI, The Univ. of Osaka)

Keywords:

strongly correlated system,metal insulator transition

本研究では、Al₂O₃(0001)基板上に作製したNbO₂薄膜の結晶性・相純度をXRDおよびRaman分光により評価した。さらにI–V測定により、約160 ℃の外部加熱下で急激な電流増加とヒステリシスを観測し、その起源を金属-絶縁体転移モデルに基づくシミュレーションから検討する。