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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[9a-A11-3]NbO₂薄膜の電流誘起スイッチングにおける金属-絶縁体転移機構の実験・シミュレーション解析

〇(M1)梅崎麻弥¹、李好博^1,2、田中秀和^1,2 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構)

強相関電子系、金属絶縁体転移

本研究では、Al₂O₃(0001)基板上に作製したNbO₂薄膜の結晶性・相純度をXRDおよびRaman分光により評価した。さらにI–V測定により、約160 ℃の外部加熱下で急激な電流増加とヒステリシスを観測し、その起源を金属-絶縁体転移モデルに基づくシミュレーションから検討する。