[9a-A11-1~9] 6.3 Oxide electronics

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-A11-5] Long-term stability of WO3 synaptic devices through proton confinement

〇(M1)Yohito Tateishi¹, Yoshihiro Furue¹, Satoshi Hamasuna¹, Takeaki Yajima¹ (1.ISEE, Kyushu Univ.)

Keywords:

Neuromorphic device,Proton conduction,Tungsten oxide

本講演では，Pd/WO₃/Pt積層型二端子プロトンシナプス素子におけるAl₂O₃パッシベーションの効果について報告する。Al₂O₃膜厚を変化させ，大気暴露下での電流変化を評価した結果，膜厚増加により電流低下が抑制され，プロトン保持特性の向上が確認された。