[9a-A11-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[9a-A11-5] プロトン閉じ込めによるWO₃シナプス素子の長期安定化

〇(M1)立石 呼人¹、古江 佳大¹、濱砂 智¹、矢嶋 赳彬¹ (1.九大 シス情)

キーワード：

ニューロモルフィック素子、プロトン伝導、酸化タングステン

本講演では，Pd/WO₃/Pt積層型二端子プロトンシナプス素子におけるAl₂O₃パッシベーションの効果について報告する。Al₂O₃膜厚を変化させ，大気暴露下での電流変化を評価した結果，膜厚増加により電流低下が抑制され，プロトン保持特性の向上が確認された。