[9a-A11-1~9] 6.3 Oxide electronics

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[9a-A11-6] Correlation between Bimodal Grain Size Distribution and Two-Step Metal-Insulator Transition in Sputtered VO₂ Thin Films

〇Akira Hasegawa¹, Hironori Fujisawa¹, Seiji Nakashima¹, Ai Osaka¹ (1.Univ. of Hyogo)

Keywords:

Vanadium dioxide(VO2),Metal-insulator transition(MIT),Grain size distribution

VO2薄膜の粒度分布と相転移特性の相関を調査した。粒度分布には26nmおよび40nmを中心とする二峰性が確認され、R-T微分曲線でも二段階の相転移が観測された。一方、粒度分布と相転移ピークの面積比は一致しなかった。これより、粒度分布によって形成される粒界ネットワーク構造が金属ドメインのパーコレーションを介した伝導経路形成に影響を与え、相転移特性に重要な役割を果たすことが示唆された。