[9a-A21-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-A21-10] Suppression of the Long-Term Component of Threshold Voltage Shift under AC stress

〇Ryuki Momota¹, Mitsuru Sometani², Hirohisa Hirai², Heiji Watanabe³, Takanori Isobe¹, Noriyuki Iwamuro¹, Hiroshi Yano¹ (1.Univ. of Tskuba, 2.AIST, 3.UOsaka)

Keywords:

4H-SiC MOSFET,bipolar AC stress,CO2 post-nitridation annealing

本研究では、NOポスト酸化アニール後にCO₂ポスト窒化アニールを施した縦型4H-SiC DMOSFETを作製し、バイポーラACストレス下でのしきい値電圧変動を評価した。変動をストレス直後の初期成分と20時間までの長期成分に分離した結果、CO₂-PNAは初期成分には大きく影響せず、長期成分の低減に効果的であることを示した。界面近傍酸化膜中の遅い電荷捕獲過程の抑制が示唆された。