講演情報
[9a-A21-10]CO2-PNAによる4H-SiC DMOSFETのACストレスに対するしきい値電圧変動の長期成分抑制
〇百田 龍生1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平司3、磯部 高範1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大、2.産総研、3.阪大院工)
キーワード：
4H-SiC MOSFET、バイポーラACストレス、CO2ポスト窒化アニール
本研究では、NOポスト酸化アニール後にCO2ポスト窒化アニールを施した縦型4H-SiC DMOSFETを作製し、バイポーラACストレス下でのしきい値電圧変動を評価した。変動をストレス直後の初期成分と20時間までの長期成分に分離した結果、CO2-PNAは初期成分には大きく影響せず、長期成分の低減に効果的であることを示した。界面近傍酸化膜中の遅い電荷捕獲過程の抑制が示唆された。