[9a-A21-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-A21-7] Interface State Generation in SiC-MOSFETs under AC Gate Stress Evaluated by Charge Pumping Method

〇(M2)Tsuyoshi Hidaka¹, Noriyuki Iwamuro¹, Hiroshi Yano¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

SiC MOSFET,AC Gate Stress,Interface State Density

SiC-MOSFETにゲートACストレスを印加した際に発生する信頼性劣化問題を解決するため、界面準位密度に注目し、ストレス印加前後においてチャージポンピング測定を行った結果を発表する。