[9a-A21-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[9a-A21-7] チャージポンピング測定によるゲートACストレス下SiC-MOSFETの界面準位生成評価

〇(M2)日高 剛¹、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大学)

キーワード：

SiC MOSFET、ゲートACストレス、界面準位密度

SiC-MOSFETにゲートACストレスを印加した際に発生する信頼性劣化問題を解決するため、界面準位密度に注目し、ストレス印加前後においてチャージポンピング測定を行った結果を発表する。