講演情報

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[9a-A21-7]チャージポンピング測定によるゲートACストレス下SiC-MOSFETの界面準位生成評価

〇(M2)日高剛¹、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大学)

SiC MOSFET、ゲートACストレス、界面準位密度

SiC-MOSFETにゲートACストレスを印加した際に発生する信頼性劣化問題を解決するため、界面準位密度に注目し、ストレス印加前後においてチャージポンピング測定を行った結果を発表する。