Presentation Information
[9a-A33-5]High-Concentration n-Type Substitutional Doping of MoS2 by Re Post-Doping
〇Masanori Yamaguchi1, Ituki Tanaka2, Kaito Kanahashi1, Tomonori Nishimura1, Mai Nakashima3, Kohei Aso3, Yoshifumi Oshima3, Yoshiki Sakuma4, Kosuke Nagashio1 (1.UTokyo, 2.UTokyo GSFS, 3.JAIST, 4.NIMS)
Keywords:
doping,TMDC,MoS2
1-nmノード以下の3次元ナノシート構造で期待されるMoS2では，コンタクト領域のみならずアクセス領域の低抵抗化に向けて，局所的に縮退n型化するドーピング技術の確立が重要となる．n型ドーパントの候補であるReは高濃度域での相分離形成が課題であるが，本研究では間欠フラックス法を応用した間欠Re照射によるn型置換ドーピングを試み，Re照射量に対する構造・化学状態・原子配置の変化を系統的に評価した．