講演情報
[9a-A33-5]ReポストドーピングによるMoS2の高濃度n型原子置換
〇山口 真徳1、田中 一樹2、金橋 魁利1、西村 知紀1、中嶋 まい3、麻生 浩平3、大島 義文3、佐久間 芳樹4、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.東大新領域、3.JAIST、4.NIMS)
キーワード：
ドーピング、遷移金属ダイカルコゲナイド、MoS2
1-nmノード以下の3次元ナノシート構造で期待されるMoS2では，コンタクト領域のみならずアクセス領域の低抵抗化に向けて，局所的に縮退n型化するドーピング技術の確立が重要となる．n型ドーパントの候補であるReは高濃度域での相分離形成が課題であるが，本研究では間欠フラックス法を応用した間欠Re照射によるn型置換ドーピングを試み，Re照射量に対する構造・化学状態・原子配置の変化を系統的に評価した．