[9a-A33-1~13] 17.3 Applications

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-A33-6] Feasibility study of ultra-thin gate metal layers using graphene

〇Yuto Noguchi¹, Taiki Seto¹, Mengnan Ke², Shohei Kumagai³, Toshihiro Okamoto³, Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba Univ., 2.Yokohama National Univ., 3.Science Tokyo)

Keywords:

two-dimensional material,graphene,atomic layer deposition

最も薄い原子物質であるグラフェンは高い導電性と平坦性を有することから，ゲートスタックにおいて究極の薄さを有するゲート金属層としての利用が期待される．グラフェン上にシード層として有機分子を成膜することでアルミナ膜の形成が可能となってきた．グラフェンバックゲート動作時のTMDC-FETの特性評価を進めている．CFET構造の極薄ゲート金属層としてグラフェンの利用が可能であるかどうかを議論する予定でいる．