講演情報
[9a-A33-6]グラフェンを用いた極薄ゲート金属層の実現可能性の検討
〇野口 裕士1、瀬戸 大暉1、柯 梦南2、熊谷 翔平3、岡本 敏宏3、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.横国大電気、3.科学大物質)
キーワード：
二次元物質、グラフェン、原子層堆積法
最も薄い原子物質であるグラフェンは高い導電性と平坦性を有することから，ゲートスタックにおいて究極の薄さを有するゲート金属層としての利用が期待される．グラフェン上にシード層として有機分子を成膜することでアルミナ膜の形成が可能となってきた．グラフェンバックゲート動作時のTMDC-FETの特性評価を進めている．CFET構造の極薄ゲート金属層としてグラフェンの利用が可能であるかどうかを議論する予定でいる．