[9a-A33-1~13] 17.3 Applications

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-A33-8] Observation of Gate-Modulated Threshold Switching in a Graphene/MoTe₂/Graphene Vertical Heterostructure

〇(D)Kentarou Uzawa^1,2, Keisuke Kobayashi^1,2, Ryoma Hayakawa², Takuya Iwasaki², Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi², Yutaka Wakayama^1,2, Satoshi Moriyama^1,2 (1.Tokyo Denki Univ., 2.NIMS)

Keywords:

Two Dimensional Material,MoTe2,Threshold Switching

以前我々は、MoTe₂をグラファイトで挟んだ二端子型縦型ヘテロ構造において閾値スイッチングの発現を報告した。本研究では、電極材料をグラフェン(Gr)に置き換えることでゲート制御可能な三端子構造を実現し、ゲート電圧による閾値スイッチング特性を評価した。その結果、スイッチング電圧がゲート電圧によって変調されることを確認した。