講演情報
[9a-A33-8]グラフェン/MoTe2/グラフェン縦型ヘテロ構造におけるゲート変調可能な閾値スイッチング現象の観測
〇(D)宇澤 拳太郎1,2、小林 圭輔1,2、早川 竜馬2、岩﨑 拓哉2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、若山 裕1,2、森山 悟士1,2 (1.東京電機大、2.NIMS)
キーワード：
二次元材料、二テルル化モリブテン、閾値スイッチング
以前我々は、MoTe2をグラファイトで挟んだ二端子型縦型ヘテロ構造において閾値スイッチングの発現を報告した。本研究では、電極材料をグラフェン(Gr)に置き換えることでゲート制御可能な三端子構造を実現し、ゲート電圧による閾値スイッチング特性を評価した。その結果、スイッチング電圧がゲート電圧によって変調されることを確認した。