[9a-A33-1~13] 17.3 Applications

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-A33-9] Contact Engineering of TMDC-Channel Transistors Using Silicide Materials

〇Tetsuhiko Tanikawa^1,2, Chang Wen-Hsin¹, Nishino Ryutaro¹, Irisawa Toshifumi¹, Okada Naoya¹ (1.SFRC, AIST, 2.Nihon Univ.)

Keywords:

TMDC,transistor,MoS2

これまでに我々は、単層MoS₂上に形成したNi-Nb-S合金のNiとNbの積層順で下地MoS₂の結晶構造が異なることを示した。このことから、TMDCトランジスタのコンタクト形成では、TMDCとの反応性および熱的安定性を考慮した材料と積層構造の選定が重要である。本研究では、TMDCトランジスタ向けコンタクト材料としてシリサイド系材料に着目し、MoS₂上へのシリサイド形成を検討した。