講演情報
[9a-A33-9]TMDCチャネルトランジスタ向けシリサイドコンタクト形成技術の検討
〇谷川 哲彦1,2、張 文馨1、西野 隆太郎1、入沢 寿史1、岡田 直也1 (1.産総研 SFRC、2.日大理工)
キーワード：
TMDC、トランジスタ、MoS2
これまでに我々は、単層MoS2上に形成したNi-Nb-S合金のNiとNbの積層順で下地MoS2の結晶構造が異なることを示した。このことから、TMDCトランジスタのコンタクト形成では、TMDCとの反応性および熱的安定性を考慮した材料と積層構造の選定が重要である。本研究では、TMDCトランジスタ向けコンタクト材料としてシリサイド系材料に着目し、MoS2上へのシリサイド形成を検討した。