[9a-B11-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

12:00 PM - 12:15 PM JST(3:00 AM - 3:15 AM UTC)

[9a-B11-12] Crystallinity evaluation of homoepitaxial β-Ga2O3 layers using a high-precision EBSD analysis method

〇Daisaku Yokoe¹, Yongzhao Yao^1,2, Maki Shimizu¹, Yukari Ishikawa¹ (1.JFCC, 2.Mie Univ.)

Keywords:

EBSD,beta-Ga2O3,Electron microscopy

β-Ga2O3基板および製膜されたβ-Ga2O3ホモエピ膜の結晶性の評価は非常に重要であり、これらの結晶性評価にはTEMによる微細構造解析やXRDを用いた結晶性、配向性評価等が行われてきた。しかし、基板とホモエピ膜の結晶性の差異が非常に小さい時の詳細な解析が課題であった。そこで近年、大きな進化を遂げているSEMを用いたEBSD解析手法を用いて、この結晶性の差異の検出限界およびホモエピ膜の結晶性の違いについて検討を行った。