Presentation Information
[9a-B11-4]Bulk crystal growth of β-Ga2O3 by melt scale up in the OCCC method
〇Taketoshi Tomida1,2, Vladimir Kochurikhin2, Liudmila Gushchina2, Masanori Kitahara1,2,4, Rikito Murakami3, Kei Kamada3,1,2, Yongzhao Yao5, Koichi Kakimoto3, Akira Yoshikawa1,2,3,4 (1.FOX Corp., 2.C&A Corp., 3.NICHe Tohoku Univ., 4.IMR Tohoku Univ., 5.Mie Univ.)
Keywords:
Gallium oxide,crystal growth
加熱時の被加熱対象の形状と物性の変化による共振周波数の変化をリアルタイム調整することによって、酸化物融液の安定加熱を実現した独自のOCCC式結晶育成装置を開発した。OCCC結晶育成装置を用い、直径150 mmの内径を持つ水冷コンテナ内でGa2O3粉末を加熱溶融し、<010>方向の種結晶を用いて65 mmの結晶育成を実現した。