Presentation Information
[9a-B11-6]Evaluation of crystal quality and dislocation structures in OCCC-grown β-Ga2O3
〇Yongzhao Yao1,2, Koki Mizuno1, Kazuki Ohnishi1, Yukari Ishikawa2, Masanori Kitahara3,4, Taketoshi Tomida3, Rikito Murakami4, Vladimir Kochurikhin3, Liudmila Gushchina3, Kei Kamada3,5, Koichi Kakimoto5, Akira Yoshikawa3,4,5 (1.Mie Univ., 2.JFCC, 3.C&A, 4.IMR, Tohoku Univ., 5.NICHe, Tohoku Univ.)
Keywords:
Ga2O3,X-ray topography,dislocation
β-Ga2O3は次世代パワーデバイス用超ワイドバンドギャップ半導体として注目されている。近年，Ir坩堝を用いない低コスト結晶成長法として，cold crucibleを用いたoxide crystal growth from cold crucible（OCCC）法が提案されている。OCCC法では高酸素分圧下での結晶成長が可能であり，酸素欠損や不純物混入の低減が期待される。一方，OCCC法β-Ga2O3結晶における格子歪み形成や転位構造は十分に理解されていない。本研究では，OCCC法により<010>方向へ育成したβ-Ga2O3単結晶について，放射光X線トポグラフィー（XRT）およびX線回折イメージング（XRDI）を用いて格子歪みおよび転位構造を観察した。