講演情報
[9a-B11-6]OCCC法β-Ga2O3結晶における品質評価と転位構造観察
〇姚 永昭1,2、水野 公貴1、大西 一生1、石川 由加里2、北原 正典3,4、富田 健稔3、村上 力輝斗4、Kochurikhin Vladimir3、Gushchina Liudmila3、鎌田 圭3,5、柿本 浩一5、吉川 彰3,4,5 (1.三重大、2.JFCC、3.C&A、4.東北大金研、5.東北大NICHe)
キーワード：
酸化ガリウム、X線トポグラフィー、転位
β-Ga2O3は次世代パワーデバイス用超ワイドバンドギャップ半導体として注目されている。近年，Ir坩堝を用いない低コスト結晶成長法として，cold crucibleを用いたoxide crystal growth from cold crucible（OCCC）法が提案されている。OCCC法では高酸素分圧下での結晶成長が可能であり，酸素欠損や不純物混入の低減が期待される。一方，OCCC法β-Ga2O3結晶における格子歪み形成や転位構造は十分に理解されていない。本研究では，OCCC法により<010>方向へ育成したβ-Ga2O3単結晶について，放射光X線トポグラフィー（XRT）およびX線回折イメージング（XRDI）を用いて格子歪みおよび転位構造を観察した。