[9a-N101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-N101-1] Interfacial Reaction Analysis of Ohmic Contacts on N- and III-Polar n-Al_0.62Ga_0.38N

〇Ryota Watanabe¹, Takumu Saito¹, Rintaro Miyake¹, Naoki Kitta¹, Seiya Kato¹, Yuma Miyamoto¹, Shion Kamiya¹, Rintaro Kobayashi¹, Tomoya Tanikawa¹, Kenta Kitagawa¹, Sho Iwayama¹, Yasuo Koide¹, Hideto Miyake², Keigo Nagao³, Taiji Yamamoto³, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ., 3.Rigaku)

Keywords:

AlGaN,N-polar

AlGaN系デバイスは電子・発光応用が期待され、高AlNモル分率n-AlGaNの高抵抗化が課題である。一般的な電気特性として低接触比抵抗（～10^-6 Ωcm²）のオーミック電極形成が求められる。本研究ではN極性n-Al_0.62Ga_0.38Nで6×10^-4 Ωcm²を実証したが更なる低減が必要である。そこでV/Al/Ti/Au電極の界面反応と電気特性の相関を解析し，III族極性面と比較することで形成機構の解明を目指す。