[9a-N101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[9a-N101-1] N極性およびIII族極性n-Al₀.₆₂Ga₀.₃₈Nにおけるオーミック接触形成機構の界面反応解析

〇渡辺 崚太¹、齋藤 巧夢¹、三宅 倫太郎¹、橘田 直樹¹、加藤 晴也¹、宮本 侑茉¹、神谷 始音¹、小林 倫太朗¹、谷川 智也¹、北川 賢汰¹、岩山 章¹、小出 康夫¹、三宅 秀人²、長尾 圭悟³、山本 泰司³、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工、2.三重大院工、3.(株)リガク)

キーワード：

AlGaN、N極性

AlGaN系デバイスは電子・発光応用が期待され、高AlNモル分率n-AlGaNの高抵抗化が課題である。一般的な電気特性として低接触比抵抗（～10^-6 Ωcm²）のオーミック電極形成が求められる。本研究ではN極性n-Al_0.62Ga_0.38Nで6×10^-4 Ωcm²を実証したが更なる低減が必要である。そこでV/Al/Ti/Au電極の界面反応と電気特性の相関を解析し，III族極性面と比較することで形成機構の解明を目指す。