Presentation Information
[9a-N101-2]Investigation of Contact Property Improvement by Laser Annealing of N-Polar n-AlGaN for Vertical UV-B Laser Diodes
〇Yuma Miyamoto1, Takumu Saito1, Rintaro Miyake1, Ryota Watanabe1, Kenta Kitagawa1, Sho Iwayama1, Hideto Miyake2, Yoshito Jin3, Masamitsu Toramaru3, Tatsuya Matsumoto3, Yoshihiro Shimazaki3, Yuzuka Minami3, Hironori Torii3, Satoshi Kamiyama1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1 (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ., 3.JSW.)
Keywords:
laser diode,AlGaN
本研究では、N極性高Al組成AlGaNに対する低熱負荷な電極形成技術としてレーザーアニールを検討した。V/Al/Ti/Au電極を形成した試料の評価から、レーザーアニールにより立ち上がり電圧が1.6 Vまで低減し、コンタクト特性の改善を確認した。また、Al膜厚の増加に伴い最適条件が高エネルギー密度側へ移行する傾向が、高温熱アニールと同様に観測された。この結果から、両者には共通した界面反応機構が関与している可能性が示唆され、レーザーアニールによる低熱負荷なオーミック接触形成の可能性が示された。