講演情報
[9a-N101-2]縦型 UV-B LD に向けた N 極性面 n-AlGaN のレーザーアニールによるコンタクト特性改善の検討
〇宮本 侑茉1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、渡辺 崚太1、北川 賢汰1、岩山 章1、三宅 秀人2、神 好人3、寅丸 雅光3、松本 竜弥3、島崎 好広3、南 柚香3、鳥居 博典3、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工、3.日本製鋼所)
キーワード：
半導体レーザー、AlGaN
本研究では、N極性高Al組成AlGaNに対する低熱負荷な電極形成技術としてレーザーアニールを検討した。V/Al/Ti/Au電極を形成した試料の評価から、レーザーアニールにより立ち上がり電圧が1.6 Vまで低減し、コンタクト特性の改善を確認した。また、Al膜厚の増加に伴い最適条件が高エネルギー密度側へ移行する傾向が、高温熱アニールと同様に観測された。この結果から、両者には共通した界面反応機構が関与している可能性が示唆され、レーザーアニールによる低熱負荷なオーミック接触形成の可能性が示された。