Presentation Information
[9a-N101-4]Structural design and lasing operation of AlGaN-based UV-B LDs employing a p-AlGaN contact layer
〇Takumu Saito1, Rintaro Miyake1, Seiya Kato1, Naoki Kitta1, Ryota Watanabe1, Yuma Miyamoto1, Shion Kamiya1, Tomoya Tanikawa1, Rintaro Kobayashi1, Kenta Kitagawa1, Sho Iwayama1, Masaru Kuramoto1, Hideto Miyake2, Satoshi Kamiyama1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1 (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)
Keywords:
AlGaN,Ultraviolet laser,Nitride semiconductor
AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）において、p-AlGaNコンタクト層を用いることで、光吸収を抑制した薄膜pクラッド構造を検討した。シミュレーションにより、p-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅Nコンタクト層を用いることで1st p-AlGaNクラッド層を80 nmまで薄膜化可能であることを示した。さらにデバイスを作製し、活性層より高いAlNモル分率を有するp-AlGaNコンタクト層を適用するとともに、1st p-AlGaNクラッド層を80 nmまで薄膜化したUV-B LDとして世界で初めてレーザ発振を実証した。