講演情報
[9a-N101-4]p-AlGaNコンタクト層を用いたAlGaN系UV-B LDの構造設計とレーザ発振の実現
〇齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、谷川 智也1、小林 倫太朗1、北川 賢汰1、岩山 章1、倉本 大1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)
キーワード：
AlGaN、紫外レーザー、窒化物半導体
AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）において、p-AlGaNコンタクト層を用いることで、光吸収を抑制した薄膜pクラッド構造を検討した。シミュレーションにより、p-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅Nコンタクト層を用いることで1st p-AlGaNクラッド層を80 nmまで薄膜化可能であることを示した。さらにデバイスを作製し、活性層より高いAlNモル分率を有するp-AlGaNコンタクト層を適用するとともに、1st p-AlGaNクラッド層を80 nmまで薄膜化したUV-B LDとして世界で初めてレーザ発振を実証した。