[9a-N101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[9a-N101-5] Device Characteristics of AlGaN-Based UV-B Laser Diodes Employing a p-AlGaN Contact Structure

〇Takumu Saito¹, Rintaro Miyake¹, Seiya Kato¹, Naoki Kitta¹, Ryota Watanabe¹, Yuma Miyamoto¹, Shion Kamiya¹, Tomoya Tanikawa¹, Rintaro Kobayashi¹, Kenta Kitagawa¹, Sho Iwayama¹, Masaru Kuramoto¹, Hideto Miyake², Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

AlGaN,Ultraviolet laser,Nitride semiconductor

AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）において、シミュレーションによりp-AlGaNコンタクト構造を用いることで、光吸収を抑制したままp-AlGaNクラッド層を薄膜化可能であることを示した。本研究では、1st p-AlGaN層厚を80–320 nmの範囲で変化させたLDを作製し、その有効性を実験的に検証した。その結果、全ての試料でレーザ発振を確認した一方、160 nm以下ではしきい値電流密度の増加およびスロープ効率の低下が確認され、新たなトレードオフが顕在化することを明らかにした。