講演情報
[9a-N101-5]p-AlGaN コンタクト構造を用いたAlGaN系UV-B LDのデバイス特性
〇齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、谷川 智也1、小林 倫太朗1、北川 賢汰1、岩山 章1、倉本 大1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)
キーワード：
AlGaN、紫外レーザー、窒化物半導体
AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）において、シミュレーションによりp-AlGaNコンタクト構造を用いることで、光吸収を抑制したままp-AlGaNクラッド層を薄膜化可能であることを示した。本研究では、1st p-AlGaN層厚を80–320 nmの範囲で変化させたLDを作製し、その有効性を実験的に検証した。その結果、全ての試料でレーザ発振を確認した一方、160 nm以下ではしきい値電流密度の増加およびスロープ効率の低下が確認され、新たなトレードオフが顕在化することを明らかにした。