[9a-N101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-N101-6] Analysis of Factors Limiting Long-Wavelength Operation of AlGaN-based UV-A/B Laser Diodes

〇Tomoya Tanikawa¹, Takumu Saito¹, Rintaro Miyake¹, Seiya Kato¹, Naoki Kitta¹, Ryota Watanabe², Shion Kamiya¹, Yuma Miyamoto¹, Rintaro Kobayashi¹, Kenta Kitagawa¹, Sho Iwayama¹, Hideto Miyake², Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

semiconductor laser,AlGaN,ultraviolet (UV) laser

AlGaN系UV-A/Bレーザーダイオードの発振波長拡張に伴う特性劣化要因を調査した。297～326 nmの広帯域発振デバイスを対象に、キャリア注入効率、内部光学損失および表面形態を評価した結果、319 nm以上の長波長側で内部光学損失と表面欠陥密度が増加することを明らかにし、長波長化のボトルネックについて考察した。