講演情報
[9a-N101-6]AlGaN系UV-A/Bレーザーダイオードにおける広帯域発振特性と長波長化の課題解析
〇谷川 智也1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太2、神谷 始音1、宮本 侑茉1、小林 倫太朗1、北川 賢汰1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
半導体レーザー、AlGaN、紫外レーザー
AlGaN系UV-A/Bレーザーダイオードの発振波長拡張に伴う特性劣化要因を調査した。297～326 nmの広帯域発振デバイスを対象に、キャリア注入効率、内部光学損失および表面形態を評価した結果、319 nm以上の長波長側で内部光学損失と表面欠陥密度が増加することを明らかにし、長波長化のボトルネックについて考察した。