[9a-N101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[9a-N101-9] Optimization of EBL for high-efficiency 265 nm band AlGaN UVC-LEDs

〇Arata Sasaki^1,2, Kazuki Nonaka^1,2, Yukio Kashima¹, Eriko Matsuura¹, Sachie Fujikawa^2,1, Hiroyuki Yaguchi², Hideki Hirayama¹ (1.RIKEN, 2.Saitama Univ.)

Keywords:

semiconductor,UVC-LED

265 nm帯AlGaN UVC-LEDは殺菌用途への応用が期待される一方、電子リークや正孔注入効率の低さが高効率化の課題である。本研究では、MOCVD法で作製した265 nm帯AlGaN LEDにおいて電子ブロック層（EBL）のAl組成を93.7～100%の範囲で変化させ、その影響を評価した。その結果、Al組成98.4%のEBLで最大EQE 1.4%を達成した。電子リーク抑制と正孔注入効率のバランスを考慮したEBL設計が高効率化に有効であることを示した。