講演情報
[9a-N101-9]265nm帯AlGaN UVC-LEDの高効率化に向けた電子ブロック層の最適化
〇佐々木 嵐汰1,2、野中 千輝1,2、鹿嶋 行雄1、松浦 恵里子1、藤川 紗千恵2,1、矢口 裕之2、平山 秀樹1 (1.理研、2.埼玉大院理工)
キーワード：
半導体、UVC-LED
265 nm帯AlGaN UVC-LEDは殺菌用途への応用が期待される一方、電子リークや正孔注入効率の低さが高効率化の課題である。本研究では、MOCVD法で作製した265 nm帯AlGaN LEDにおいて電子ブロック層（EBL）のAl組成を93.7～100%の範囲で変化させ、その影響を評価した。その結果、Al組成98.4%のEBLで最大EQE 1.4%を達成した。電子リーク抑制と正孔注入効率のバランスを考慮したEBL設計が高効率化に有効であることを示した。