Presentation Information
[9a-PB2-3]Evaluation of Ion Incidence Effects on SiO2 Sidewall Films Using Plasma and SRIM Simulations
〇Yousei Kurosaki1, Tsukasa Masamoto1, Atsuto Sasaki1, Daisuke Yamashita1, Takamasa Okumura1, Naho Itagaki1, Kazunori Koga1, Masaharu Shiratani1, Kunihiro Kamataki1 (1.Kyushu Univ. ISEE)
Keywords:
semiconductor,PECVD,COMSOL Multiphysics
本研究では、TEOS-PECVDによる高アスペクト比トレンチ側壁SiO2膜の低品質化要因であるイオンボンバードメント不足に着目した。COMSOLでAr容量結合プラズマのIEADFを算出し、SRIMによる水素スパッタ率の角度・エネルギー依存性と統合した結果、深部側壁では水素脱離が抑制される一方、バイアス印加によりスパッタ促進と深さ方向均一性向上が示された。