講演情報
[9a-PB2-3]プラズマシミュレーションとSRIMを組み合わせたSiO2側壁膜におけるイオン入射効果の評価
〇黒崎 陽晴1、政本 元1、佐々木 睦人1、山下 大輔1、奥村 賢直1、板垣 奈穂1、古閑 一憲1、白谷 正治1、鎌滝 晋礼1 (1.九大シス情)
キーワード：
半導体、PECVD、COMSOL Multiphysics
本研究では、TEOS-PECVDによる高アスペクト比トレンチ側壁SiO2膜の低品質化要因であるイオンボンバードメント不足に着目した。COMSOLでAr容量結合プラズマのIEADFを算出し、SRIMによる水素スパッタ率の角度・エネルギー依存性と統合した結果、深部側壁では水素脱離が抑制される一方、バイアス印加によりスパッタ促進と深さ方向均一性向上が示された。