Presentation Information
[9a-PB2-4]FTIR analysis of carbon film deposition process during tetramethylsilane plasma
Atsuya Kuwada1, Yuto Oishi1, Masanori Shinohara2, 〇Akihiro Iwata2, Ryo Miyazawa3, Fumihiko Hirose3 (1.Grad. Sch. Eng. Fukuoka Univ., 2.Dept. of EE Fukuoka Univ., 3.Yamagata Univ.)
Keywords:
tetramethylsilane,RF plasma
Si含有DLC等の原料として安全かつ取り扱いやすいテトラメチルシランを用い，酸素プラズマで洗浄したSiプリズム上における炭素膜成長過程を多重内部反射赤外吸収分光法によりその場観測した．C-HおよびSi-H伸縮振動領域のピーク分離解析から，Si-H領域はSiH2(C,C)とSiH2(Si,C)の２成分で説明可能であることが示唆された．発表では，成長過程における化学結合状態とその変遷について述べる．