講演情報
[9a-PB2-4]テトラメチルシランプラズマ中の膜堆積過程の赤外分光計測(2)
桒田 篤哉1、大石 侑叶1、篠原 正典2、〇岩田 晃拓2、宮澤 諒3、廣瀬 文彦3 (1.福岡大院工、2.福岡大工、3.山形大院理工)
キーワード：
テトラメチルシラン、RFプラズマ
Si含有DLC等の原料として安全かつ取り扱いやすいテトラメチルシランを用い，酸素プラズマで洗浄したSiプリズム上における炭素膜成長過程を多重内部反射赤外吸収分光法によりその場観測した．C-HおよびSi-H伸縮振動領域のピーク分離解析から，Si-H領域はSiH2(C,C)とSiH2(Si,C)の２成分で説明可能であることが示唆された．発表では，成長過程における化学結合状態とその変遷について述べる．