[9p-A21-1~15] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-A21-1] Impact of Electron Irradiation on Channel and Drift Regions in SiC MOSFET

〇(M1)Yuto Ogawa¹, Noriyuki Iwamuro¹, Hiroshi Yano¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

SiC,MOSFET,electron irradiation

本研究ではSiCパワーMOSFETの内蔵PiNダイオードの逆回復損失低減手法である電子線照射がチャネルとドリフト層に与える影響を解析した。測定で用いた素子の２つの電流経路を持つという特徴からチャネル抵抗とドリフト抵抗を分類した。その結果、照射量の変化に対してドリフト抵抗が大きく増加した。よって、電子線照射はチャネルよりもドリフト層に与える影響が大きく、 照射によって生成された欠陥は熱処理で回復することが分かった。