講演情報
[9p-A21-1]電子線照射がSiC MOSFETのチャネルとドリフト層に与える影響
〇(M1)小川 優人1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大)
キーワード：
SiC、MOSFET、電子線照射
本研究ではSiCパワーMOSFETの内蔵PiNダイオードの逆回復損失低減手法である電子線照射がチャネルとドリフト層に与える影響を解析した。測定で用いた素子の２つの電流経路を持つという特徴からチャネル抵抗とドリフト抵抗を分類した。その結果、照射量の変化に対してドリフト抵抗が大きく増加した。よって、電子線照射はチャネルよりもドリフト層に与える影響が大きく、 照射によって生成された欠陥は熱処理で回復することが分かった。