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4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-A21-10]Investigation of Body pin Diodes in SiC MOSFETs Fabricated on Bonded Substrates

〇(M2)Tomohiro Baba¹, Hiroshi Yano¹, Noriyuki Iwamuro¹ (1.Univ. of Tsukuba)

SiC MOSFET

SiC MOSFETの低コスト化に向け、多結晶SiCと単結晶SiCを用いた貼り合わせ基板が注目されている。本講演では、貼り合わせ基板SiC MOSFETの内蔵pinダイオードについて、順方向特性と逆回復特性のトレードオフ改善結果に加え、低電流密度条件での逆回復時ピーク電圧増大について報告する。