[9p-A21-1~15] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-A21-12] Analysis of On-Resistance Components in SiC MOSFETs and Their Structural Dependence on Short-Circuit Ruggedness

〇(M1)So Uchiyama¹, Hiroshi Yano¹, Noriyuki Iwamuro¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

SiC-MOSFET,short-circuit ruggedness,on-resistance component

縦型SiC-MOSFETのオン抵抗ー負荷短絡耐量トレードオフ特性とゲート構造の相関について、実測I-V特性からオン抵抗を構成する各成分を直接抽出する手法を確立し、解析を行った。その結果、J-FET幅を狭くかつ深い形状にし、不純物濃度を高くすることによって、線形領域での低オン抵抗特性と、空乏化した際の電流増加を抑制が両立でき、オン抵抗－負荷短絡耐量のトレードオフ特性が改善されると考えられる。