講演情報
[9p-A21-12]SiC MOSFETにおけるオン抵抗成分解析と負荷短絡耐量への構造依存性の検討
〇(M1)内山 颯1、矢野 裕司1、岩室 憲幸1 (1.筑波大学)
キーワード：
SiC-MOSFET、負荷短絡耐量、抵抗成分解析
縦型SiC-MOSFETのオン抵抗ー負荷短絡耐量トレードオフ特性とゲート構造の相関について、実測I-V特性からオン抵抗を構成する各成分を直接抽出する手法を確立し、解析を行った。その結果、J-FET幅を狭くかつ深い形状にし、不純物濃度を高くすることによって、線形領域での低オン抵抗特性と、空乏化した際の電流増加を抑制が両立でき、オン抵抗－負荷短絡耐量のトレードオフ特性が改善されると考えられる。