Presentation Information
[9p-A21-15]Analog ReRAM Based on Single-Crystal 4H-SiC and Its Operating Mechanism
〇(M1C)Haru Takayama1, Yumeng Zheng1, Kinoshita Kentaro1 (1.Tokyo Univ. of Sci.)
Keywords:
SiC,ReRAM,interface
車載エッジAIの実現には、高温動作可能なメモリが求められる。本研究ではPt/単結晶4H-SiC/Niメモリ素子を作製し、100サイクルのアナログ安定動作と1000s以上の保持を確認した。作製したダイオード素子とのコンダクタンス特性の比較から、メモリ素子特有の界面準位応答を確認した。これより、Pt/SiC界面準位を介した輸送と有効ショットキー障壁変調によるアナログ抵抗変化制御に関する知見を得た。