講演情報
[9p-A21-15]単結晶4H-SiCを用いたアナログ動作ReRAMの実現と動作機構の検討
〇(M1C)高山 陽1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
キーワード：
SiC、ReRAM、界面
車載エッジAIの実現には、高温動作可能なメモリが求められる。本研究ではPt/単結晶4H-SiC/Niメモリ素子を作製し、100サイクルのアナログ安定動作と1000s以上の保持を確認した。作製したダイオード素子とのコンダクタンス特性の比較から、メモリ素子特有の界面準位応答を確認した。これより、Pt/SiC界面準位を介した輸送と有効ショットキー障壁変調によるアナログ抵抗変化制御に関する知見を得た。