[9p-A21-1~15] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-A21-2] Effects of Electron Beam Irradiation on Interface Properties of SiC-MOS Capacitors

〇(M2)Soma Furuya¹, Noriyuki Iwamuro¹, Hiroshi Yano¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

Silicon Carbide MOS Capacitors,Electron Beam Irradiation,Interface Properties

SiC-MOSFETに電子線を照射すると、内蔵PiNダイオードの逆回復特性が改善される。それと同時にMOS界面特性の劣化が懸念されるが、MOSFETではMOS界面特性を詳細に評価することが難しい。そこで本研究では、電子線照射がSiC-MOS界面特性に与える影響を明らかにするために、SiC-MOSキャパシタに電子線照射を行い、C-V特性から界面準位密度（D_it）やフラットバンド電圧（V_FB）の変化を評価した。