[9p-A21-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[9p-A21-2] 電子線照射がSiC-MOSキャパシタの界面特性に及ぼす影響

〇(M2)古谷 颯真¹、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大学)

キーワード：

SiC MOSキャパシタ、電子線照射、界面特性

SiC-MOSFETに電子線を照射すると、内蔵PiNダイオードの逆回復特性が改善される。それと同時にMOS界面特性の劣化が懸念されるが、MOSFETではMOS界面特性を詳細に評価することが難しい。そこで本研究では、電子線照射がSiC-MOS界面特性に与える影響を明らかにするために、SiC-MOSキャパシタに電子線照射を行い、C-V特性から界面準位密度（D_it）やフラットバンド電圧（V_FB）の変化を評価した。