[9p-A21-1~15] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[9p-A21-9] Etching of 4H-SiC by Reactive Atmospheric-pressure Thermal Plasma Jet

〇Shoma sy Yamamoto¹, Jiawen Yu¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ)

Keywords:

semiconductor,4H-SiC,etching

近年、注目が集まっているSiCは難加工材であり、機械的困難であるため、プラズマを用いたドライエッチング技術の研究が進められている。我々はArとを用いた反応性大気圧熱プラズマジェット(R-TPJ) 照射により局所的な加熱と同時に酸素ラジカルをフォトレジストに供給することで84.2 mm/sと高いエッチングレートを報告している。本研究では、添加ガスをO₂からCF₄に変更し、4H-SiCのドライエッチングへを試みた。