講演情報
[9p-A21-9]反応性大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCエッチング
〇山本 匠真1、ユ カブン1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
キーワード：
半導体、4H-SiC、エッチング
近年、注目が集まっているSiCは難加工材であり、機械的困難であるため、プラズマを用いたドライエッチング技術の研究が進められている。我々はArとを用いた反応性大気圧熱プラズマジェット(R-TPJ) 照射により局所的な加熱と同時に酸素ラジカルをフォトレジストに供給することで84.2 mm/sと高いエッチングレートを報告している。本研究では、添加ガスをO₂からCF₄に変更し、4H-SiCのドライエッチングへを試みた。